Презентация на тему: "Презентация "Физические свойства полупроводников""

Физические свойства полупроводников

Содержание
Введение;
Историческая справка;
Полупроводники;
Виды полупроводников;
Строение собственных полупроводников;
Донорные примеси;
Акцепторные примеси;
Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда;
Электронно-дырочный переход;
Применение;
Заключение;
Список использованных источников.

ВВЕДЕНИЕ
Основу всех современных электронных приборов составляют полупроводники – вещества, способные, как проводить электрический ток, так и препятствовать его прохождению.

Историческая справка
В 1956 г. Уильям Шокли, Джон Бардин и Вальтер Бреттейн были удостоены Нобелевской премии по физике «за исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта».

Полупроводники
При нагревании полупроводников их электрическое сопротивление падает, а не возрастает, как у металлов.
Односторонняя проводимость контакта двух полупроводников;
Являются источниками фото - э. д. с. или термо - э. д. с.

Виды Полупроводников
Полупроводники
Собственные
(с.н.з. электроны и дырки)
Примесные
Акцепторные
(с.н.з. дырки)
Донорные
(с.н.з. электроны)

Строение Собственных полупроводников
При небольшой температуре
При нагревании
Под действием электрического поля
𝑛 𝑖 = 𝑝 𝑖 =𝐴 𝑒 − ∆ 𝑊 3 2𝑘𝑇
Число (концентрация) свободных носителей заряда в полупроводнике описывается зависимостью:

Донорные примеси
Поскольку концентрация свободных электронов в основном определяется концентрацией внесенной примеси 𝑁 д , то
𝑛 𝑛 > 𝑝 𝑛

Акцепторные примеси
Концентрация дырок в валентной зоне определяется концентрацией внесенной примеси 𝑁 𝑎 , а не дырками, возникшими в результате перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. Отсюда следует, что
𝑝 𝑝 > 𝑛 𝑝

Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда
Под действием разности потенциалов в полупроводнике возникает электрическое поле, ускоряющее электроны и дырки и сообщающее им еще некоторое поступательное движение, представляющее ток проводимости. Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля называют дрейфом (дрейфовое движение).
При создании в полупроводнике двух областей с разными концентрациями носителей заряда, в результате теплового движения носители переходят из области с их высокой концентрацией в область с меньшей концентрацией, т.е. стремятся к выравниванию концентраций. Направленное движение носителей заряда под воздействием разности концентраций называется диффузией (диффузионное движение).

Электронно-дырочный переход

Применение полупроводников
Транзисторы
Термисторы
Фоторезисторы
Светодиоды
Фотодиоды
Диоды

Заключение
Создание приборов на основе полупроводников произвело в середине XX в. техническую революцию. Дальнейшее их развитие привело к созданию интегральных микросхем, появлению новых поколений электронно-вычислительных машин и персональных компьютеров. Сейчас ни одна область науки и техники не обходится без их применения.