Школьные учебники / Презентации по предметам » Презентации » Презентации по Физике » Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик

Презентация на тему: "Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик"

Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик - Скачать презентации бесплатно ☑ Презентации по предметам на school-textbook.com
Смотреть онлайн
Поделиться с друзьями:
Презентация на тему Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик к уроку по физике

Презентация "Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик" онлайн бесплатно или скачать на сайте электронных школьных учебников/презентаций school-textbook.com

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет Технология формирования слоистых
1 слайд

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик

Мультиферроики
2 слайд

Мультиферроики

Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным эффектом Материалы, обладающие магн
3 слайд

Материалы, обладающие пьезоэлектрическим или электрострикционным эффектом Материалы, обладающие магнитострикционным эффектом BiFeO3 Pb(Fe0.5Nb0.5)O3 YbMnO3 BiМnO3 LaMnO3 Однофазные мультиферроики, обладающие магнитодиэлектрическим эффектом CoFe2O4 LiFe2O4 Y3Fe5O12 BaTiO3 PbZr1-xTixO3 Ba0.8Pb0.2TiO3 (1-x)[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3] -x[PbTiO3].

Толщины слоев: BSTO: 0.5 – 1.5 мкм YIG: 5 – 8 мкм Подложка: 300 – 500 мкм Способы формирования искус
4 слайд

Толщины слоев: BSTO: 0.5 – 1.5 мкм YIG: 5 – 8 мкм Подложка: 300 – 500 мкм Способы формирования искуственных мультиферроидных сред

5 слайд

* Электродинамическое взаимодействие Электрическая и магнитная перестройка дисперсионных кривых
6 слайд

* Электродинамическое взаимодействие Электрическая и магнитная перестройка дисперсионных кривых

* Резонатор на основе структуры феррит-сегнетоэлектрик щелевая линия
7 слайд

* Резонатор на основе структуры феррит-сегнетоэлектрик щелевая линия

1 – вакуумный колпак установки УВР3-29; 2 – держатель и нагреватель подложек; 3 – порошковая мишень
8 слайд

1 – вакуумный колпак установки УВР3-29; 2 – держатель и нагреватель подложек; 3 – порошковая мишень ( 120 мм)

* Дифрактограмма BSTO (x=0.5) пленки выращенной на ферритовой подложке.
9 слайд

* Дифрактограмма BSTO (x=0.5) пленки выращенной на ферритовой подложке.

Рисунок 7 - Слоистая структура идеальный металл–диэлектрик–СЭП–диэлектрический буферный слой–пленка
10 слайд

Рисунок 7 - Слоистая структура идеальный металл–диэлектрик–СЭП–диэлектрический буферный слой–пленка феррита диэлектрик–идеальный метал и ее электродинамическая модель. XPS спектр слоистой структуры BSTO/YIG/GGG

Характеристики исследованных образцов Номер обр. 225 223 575 85 Подложка LAO YIG поликор Толщина пле
11 слайд

Характеристики исследованных образцов Номер обр. 225 223 575 85 Подложка LAO YIG поликор Толщина пленки, м 0.950 0.75 0.4 0,9 Постоянная решетки d, А 3.982 3.954 3.962 3.981 (300K, 0 V) 2200 1545 1910 1575 tg (300K, 0 V) 0.005 0.011 0.017 0,018 Коэффициент управляемости K (300K, 200V) 1.4 2.1 1.43 1.6

Установка для измерения диэлектрических характеристик и электропроводности Планарный сегнетоконденса
12 слайд

Установка для измерения диэлектрических характеристик и электропроводности Планарный сегнетоконденсатор

* Результаты измерений диэлектрических характеристик исследуемых пленок Номер обр. 353S 353F подложк
13 слайд

* Результаты измерений диэлектрических характеристик исследуемых пленок Номер обр. 353S 353F подложка сапфир (0.53мм) ГГГ (0.6мм)/ЖИГ (7 мкм) Тощина пленки, мкм 0.59 0.82 C0, пФ 0.41 0.56 K 1.32 1.20 e 600 620 tg(d) 0.002 0.0014

Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353S
14 слайд

Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353S Вольт-фарадные характеристики и температурные зависимости емкости конденсатора на основе пленки 353F

ВФХ конденсаторов в магнитном поле
15 слайд

ВФХ конденсаторов в магнитном поле

8 Пленка Ba0,5Sr0,5TiO3 с содержанием Mn 15 вес.% ВФХ структуры металл/BST(Mn)/GGG в магнитном поле
16 слайд

8 Пленка Ba0,5Sr0,5TiO3 с содержанием Mn 15 вес.% ВФХ структуры металл/BST(Mn)/GGG в магнитном поле

Отзывы по презентациям на сайте school-textbook.com "Технология формирования слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик" (0)
Оставить отзыв
Прокомментировать

Путеводитель по миру знаний. Тем, кто хочет учиться.

Свяжитесь с нами